高光譜相機(jī)解決方案
  • 高光譜相機(jī)在芯片缺陷方面的檢測

  • 信息來源:彩譜品牌廠家   瀏覽次數(shù):70    發(fā)表時間:2024-10-17
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            芯片,被譽為現(xiàn)代科技的 “心臟”,其制造的精度和質(zhì)量直接決定了電子設(shè)備的性能和可靠性。然而,在芯片的生產(chǎn)過程中,由于各種因素的影響,如工藝誤差、材料雜質(zhì)、環(huán)境干擾等,不可避免地會產(chǎn)生各種類型的缺陷。傳統(tǒng)的芯片缺陷檢測方法在面對日益復(fù)雜的芯片結(jié)構(gòu)和微小的缺陷時,往往存在一定的局限性。近年來,高光譜相機(jī)技術(shù)的出現(xiàn)為芯片缺陷檢測帶來了新的突破。高光譜相機(jī)能夠捕捉到芯片表面和內(nèi)部的細(xì)微光譜特征變化,通過對這些光譜信息的分析和處理,可以準(zhǔn)確地檢測出各種潛在的缺陷。本文章將詳細(xì)介紹高光譜相機(jī)在芯片缺陷檢測中的具體應(yīng)用和優(yōu)勢,以及實操案例。
    以下是一些主要的應(yīng)用
    1、金屬層缺陷檢測:
    (1)金屬層劃痕和裂紋檢測:芯片制造過程中,金屬層的劃痕和裂紋是常見的缺陷。這些缺陷會影響芯片的電學(xué)性能和可靠性。高光譜相機(jī)可以利用不同物質(zhì)對不同波長的光的反射和散射特性差異,檢測金屬層表面的劃痕和裂紋。即使是微小的劃痕和裂紋,其在高光譜圖像中也會呈現(xiàn)出與正常區(qū)域不同的光譜特征,例如反射率的變化、散射光的分布差異等。
    (2)金屬層厚度不均勻檢測:金屬層的厚度均勻性對芯片性能至關(guān)重要。高光譜相機(jī)可以通過測量金屬層在不同波長下的光學(xué)特性,如折射率、吸收系數(shù)等,來推斷金屬層的厚度。當(dāng)金屬層厚度不均勻時,其在不同位置的光譜響應(yīng)會有所不同,通過對這些光譜信息的分析和處理,可以準(zhǔn)確地檢測出金屬層厚度不均勻的區(qū)域。
    2、光刻缺陷檢測:
    (1)光刻圖案缺陷檢測:在芯片光刻過程中,可能會出現(xiàn)光刻圖案的變形、缺失、模糊等缺陷。高光譜相機(jī)可以對光刻后的芯片進(jìn)行成像,通過分析光刻圖案區(qū)域的光譜信息,與標(biāo)準(zhǔn)的光刻圖案光譜特征進(jìn)行對比,從而檢測出光刻圖案的缺陷。例如,對于光刻圖案的變形,其在高光譜圖像中的形狀和光譜分布會發(fā)生變化;對于缺失的光刻圖案部分,相應(yīng)區(qū)域的光譜信號會與周圍正常區(qū)域有明顯差異。
    (2)光刻膠殘留檢測:光刻完成后,芯片表面可能會殘留光刻膠。這些殘留的光刻膠會影響后續(xù)的工藝步驟和芯片性能。高光譜相機(jī)可以利用光刻膠與芯片基底材料在光譜特性上的差異,檢測出光刻膠的殘留區(qū)域。例如,光刻膠在特定波長下的吸收或反射特性與芯片基底材料不同,高光譜相機(jī)能夠根據(jù)這些差異準(zhǔn)確地識別出光刻膠殘留的位置和數(shù)量。
    3、封裝缺陷檢測:
    (1)封裝材料缺陷檢測:芯片封裝過程中使用的封裝材料可能存在氣泡、雜質(zhì)、裂紋等缺陷。高光譜相機(jī)可以通過對封裝材料的光譜分析,檢測這些缺陷。例如,氣泡在高光譜圖像中會呈現(xiàn)出與封裝材料不同的光學(xué)特性,其對光的散射和折射會導(dǎo)致光譜信號的變化;雜質(zhì)的存在會影響封裝材料的光譜吸收和反射特性,通過高光譜檢測可以發(fā)現(xiàn)這些異常區(qū)域。
    (2)封裝界面缺陷檢測:芯片與封裝材料之間的界面結(jié)合情況對芯片的可靠性和性能有重要影響。如果界面存在分層、空洞等缺陷,會導(dǎo)致芯片的散熱不良、信號傳輸受阻等問題。高光譜相機(jī)可以通過對芯片封裝界面區(qū)域的光譜分析,檢測界面的缺陷。例如,分層區(qū)域的光譜反射和透射特性會發(fā)生變化,高光譜相機(jī)能夠根據(jù)這些變化來判斷界面的結(jié)合質(zhì)量。

    以下為實驗操作案例

    對芯片針腳氧化的缺陷檢測
    這是客戶給我們寄來的樣品,由于樣品太小,需要加裝微距環(huán)來進(jìn)行拍攝
    這樣細(xì)節(jié)就可以拍的比較清楚

    1.實驗測試儀器列表

    設(shè)備名稱 型號 配置明細(xì) 備注
    彩譜高光譜相機(jī) FS-17 光譜范圍:900-1700nm;
    光譜分辨率:6nm
     
    測試臺架 FS-826 測量平臺10*15cm  

    2. 實驗內(nèi)容
    1.在900-1700nm波段下對不同位置進(jìn)行像素點進(jìn)行選取
     
    2.測試過程如圖,分別選中不用位置,查看樣品反射率曲線圖譜

    3. 實驗結(jié)果

    900-1700nm下拍攝結(jié)果,可以看到單獨一塊芯片的四個針腳的光譜,其中第一個的位置反射率明顯高于其他幾個

    從RGB偽彩圖中也可以看出,右下角芯片針腳存在黃變的顏色變化,在選擇其光譜曲線查看時,也可以看出明顯的不同。
     
     
     
     
     
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